Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого резистора оказался наверху. Значения будут такими же, как на рис. 10.7: R1=40 кОм, R2=3,3 кОм, Rc=4,7 кОм, RE=220 кОм и VCC=12 В. Транзистор 2N2222 обозначен в библиотеке eval как Q2N2222. Пронумеруйте узлы, как на рис. 10.7, затем сохраните полученный рисунок (рис. 15.11). Чтобы получить анализ цепей смещения, используйте моделирование на PSpice под именем Bjtcase. Выберите тип анализа Bias Point и для Output File Option установите опцию "Include detailed bias point information (.OP)". Выполните моделирование, проверьте ошибки, исследуйте выходной файл, затем отредактируйте его в Word и распечатайте. Сравните ваши результаты с показанными на рис. 15.12. Значения параметров смещения должны совпадать с приведенными в главе 10.
Рис. 15.11. Схема для определения точки покоя усилителя ОЭ на биполярном транзисторе
**** 10/01/99 11:14:59 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
** circuit file for profile: Bjtcases
*Libraries:
* Local Libraries :
* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:
.lib nom.lib
*Analysis directives: .CP
.PROBE
*Netlist File:
.INC "bjtease-SCHEMATIC1.net"
* Alias File:
**** INCLUDING bjtcase-SCHEMATIC1.net ****
* source BJTCASE
Q_Q1 3 14 Q2N2222
V_VCC 20 12V
R_RE 4 0 220
R_RC 2 3 4.7k
R_R2 10 3.3k
R_R1 2 1 40k
**** RESUMING bjtcase-SCHEMATIC1-Bjtcases.sim.cir ****
.INC "bjtcase-SCHEMATIC1.als"
**** INCLUDING bjtcase-SCHEMATIC1.als ****
.ALIASES
Q_Q1 Q1(c=3 b=1 e=4 )
V_VCC VCC(+=2 -=0 )
R_RE RE(1=4 2=0 )
R_RC RC(1=2 2=3 )
R_R2 R2(1=1 2=0 )
R_R1 R1(1=2 2=1 )
_ _(1=1)
_ _(2=2)
_ _(3=3)
_ _(4=4)
.ENDALIASES
.END
**** BJT MODEL PARAMETERS
Q2N2222
NPN
IS 14.340000E-15
BF 255.9
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .8933 ( 2) 12.0000 ( 3) 6.7651 ( 4) .2466
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V_VCC -1.391E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 1.67E-02 WATTS
Рис. 15.12. Выходной файл для усилителя ОЭ на биполярном транзисторе
Обратите внимание, что мы не вывели значения токов через резисторы, как делали это на рис. 10.8, поскольку директива .PRINT DC не доступна в Capture. Таким образом, дополнительная работа, необходимая для анализа в Capture, не оправдана, если нас интересуют только параметры смещения. Для проведения анализа переменных составляющих используем созданную нами схему, просто добавив недостающие компоненты.
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Малосигнальная модель с h -параметрами для биполярных транзисторов
Малосигнальная модель с h-параметрами для биполярных транзисторов Точной моделью для биполярных транзисторов, широко используемой при анализе на малых сигналах, является модель в h-параметрах, показанная на рис. 3.5. Эта модель с соответствующими значениями используется
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами На рис. 3.28 показана упрощенная модель для использования в PSpice, на рис. 3.29 — схема ОЭ, использующая эту модель. Входной файл для анализа приведен далее: Simplified h-Parameter AnalysisVS 1 0 1mVVO 3 0 0VF 4 0 VO 50RS 1 2
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором Обычно в усилителе с общим эмиттером (ОЭ) используют шунтирующий конденсатор, подобный Се на рис. 4.5, включенный параллельно Re, что позволяет увеличить коэффициент усиления по напряжению. Проблема состоит в том,
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению В качестве примера, относящегося уже не к колебательному контуру, а к усилителю, на рис. 4.18 показана упрощенная гибридная ?-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению. Рис.
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером Для дальнейшей иллюстрации влияния обратной связи на диапазон частот на рис. 4.19 показана модель двухкаскадной схемы ОЭ с параллельной обратной связью по току. Мы снова выбрали упрощенную
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером Рассмотрим теперь трехкаскадный усилитель с общим эмиттером. Анализировать эту схему без использования компьютера слишком трудно. Здесь также приходит на помощь PSpice, позволяя провести
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Входные характеристики схемы с общим эмиттером
Входные характеристики схемы с общим эмиттером Входные характеристики могут быть получены из входного файла, который ссылается на встроенную модель следующим образом:BJT Input CharacteristicsIBB 0 1 100uARs 1 0 1000kRL 2 3 1kQ1 2 1 0 BJTVCC 3 0 12V.MODEL BJT NPN.DC IBB 0 100uA 1uA.PROBE.ENDИз рис. 9.21 видно, что для этой
Усилители с общим эмиттером
Усилители с общим эмиттером Простая схема каскада с ОЭ показана на рис. 10.5. Входной контур получен путем преобразования более сложной цепи с помощью теоремы Тевенина. Мы проводим анализ при частоте 5 кГц, при которой конденсаторы могут рассматриваться просто как короткое
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором Когда усилитель ОЭ использует эмиттерный резистор, не шунтированный конденсатором, коэффициент усиления по напряжению схемы уменьшается, зато улучшается частотная характеристика. Схема с
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером Когда в усилителе с ОЭ для стабилизации параметров смещения используется эмиттерный резистор RЕ, он шунтируется конденсатором СЕ с такой емкостью, чтобы на частоте входного сигнала эмиттер можно было бы считать
Триггер на биполярных транзисторах
Триггер на биполярных транзисторах Рис. 10.22. Триггер на биполярных транзисторахТриггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах На рис. 10.29 показан мультивибратор с эмиттерными связями, использующий стандартные компоненты. Его подробный анализ приведен в книге Millman, Taub, Pulse, Digital, and Switching Waveforms. При анализе принимается, что Q1
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти