Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Обычно в усилителе с общим эмиттером (ОЭ) используют шунтирующий конденсатор, подобный Се на рис. 4.5, включенный параллельно Re, что позволяет увеличить коэффициент усиления по напряжению. Проблема состоит в том, чтобы выбрать достаточно большое значение для Се так, чтобы при самой низкой используемой частоте снижение коэффициента усиления не превышало 3 дБ (и, следовательно, сдвиг фазы из-за подключения Ze был не больше, чем 45°).
Рис. 4.5. Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Анализ для переменного тока проводится на модели, показанной в рис. 4.6. Значения h-параметров, используемые здесь, такие же, как и в примерах главы 3, относящихся к анализу усилителей ОЭ. Значения параметров элементов: Rs=50 Ом; R1=50 кОм; R2=8 кОм; Re=1 кОм; Rc=2 кОм; Cb=50 пФ; Се=100 мкФ и V=1 мВ. Анализ проводится для частот от 0,01 Гц до 10 кГц со следующим входным файлом:
Common-Emitter Amplifier with Emitter-Bypass Capacitor
V 1 0 AC 1m
V0 4 4A 0
E 4A 5 6 5 2.5E-4
F a 5 V0 50
R5 1 2 50
R1 3 0 50k
R2 3 0 8k
RI 3 4 1.1k
RE 5 0 1K
RO 6 5 40k
RC 6 0 2k
СВ 2 3 50uF
СЕ 5 0 100uF
.AC DEC 2 0 0.01Hz 10kHz
.PROBE
.END
Рис. 4.6. Модель для усилителя с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Выполните анализ и в окне Probe получите график выходного напряжения V(6). Он должен быть похож на кривую на рис. 4.3. Используйте режим курсора, чтобы определить среднечастотное выходное напряжение. Убедитесь, что при f=5 кГц выходное напряжение V(6)=83,99 мВ.
Теперь выразим значения напряжения по оси Y в децибелах. Удалите выведенный график и замените его графиком зависимости
20·lg(V(6)/84мВ).
Вы вдруг обнаружите, что график выглядит странно. Информация, которая не была видна на линейном графике, при логарифмическом масштабе проявилась. Обратимся к рис. 4.7, на котором приведен этот график. В какой области частот размещены две изогнутые части, и почему они появляются? Для ответа необходимы дальнейшие исследования.
Рис. 4.7. Логарифмическая амплитудно-частотная характеристика (график Боде) для схемы на рис. 4.6
Установите по оси Y диапазон от -20 до 0, а по оси Х — от 1 Гц до 10 кГц. Используйте курсор, чтобы найти значение -3 дБ. Проверьте, что оно соответствует частоте f=74 Гц. Эта частота называется частотой полюса, но поскольку схема имеет и другой конденсатор (Cb), появляется и второй полюс при более низкой частоте.
Чтобы сконцентрировать исследование только на влиянии Се, измените ваш входной файл, исключив из него Сb. Это легко сделать, заменив команду, вводящую CB на
RB 2 3 0.001
Внесите это изменение и снова выполните анализ. В Probe, как и прежде, получите график
20·lg(V(6)/84мВ).
Убедитесь, что вблизи отметки -3 дБ частота f=69,8 Гц. Таким образом, присутствие Сb почти не изменяет расположение первого полюса. Имеется также нуль в этой схеме, при частоте, соответствующей возрастанию сигнала от нижнего уровня до 3 дБ.
С помощью курсора определите ослабление при f=1 Гц. Оно должно составлять 31,47 дБ. Убедитесь, что прибавив к этому значению 3 дБ, получим значение -28,47 дБ, соответствующее частоте f=2,12 Гц. Таким образом, нуль достигается при частоте приблизительно 2,1 Гц.
Если вас интересует, что случится, когда не будет полюса, определяемого конденсатором Сe, просто установите значение сопротивления Re в 0,001 Ом и повторно запустите анализ, восстановив Сb. В результате вы получите одиночный полюс при f=3,26 Гц.
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами На рис. 3.28 показана упрощенная модель для использования в PSpice, на рис. 3.29 — схема ОЭ, использующая эту модель. Входной файл для анализа приведен далее: Simplified h-Parameter AnalysisVS 1 0 1mVVO 3 0 0VF 4 0 VO 50RS 1 2
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению В качестве примера, относящегося уже не к колебательному контуру, а к усилителю, на рис. 4.18 показана упрощенная гибридная ?-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению. Рис.
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером Для дальнейшей иллюстрации влияния обратной связи на диапазон частот на рис. 4.19 показана модель двухкаскадной схемы ОЭ с параллельной обратной связью по току. Мы снова выбрали упрощенную
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером Рассмотрим теперь трехкаскадный усилитель с общим эмиттером. Анализировать эту схему без использования компьютера слишком трудно. Здесь также приходит на помощь PSpice, позволяя провести
Идеальный операционный усилитель
Идеальный операционный усилитель Идеальный ОУ будет смоделирован для PSpice как усилитель с высоким входным сопротивлением, нулевым выходным сопротивлением и высоким коэффициентом усиления по напряжению. Типичные значения этих параметров показаны на рис. 5.1, где Ri=1 ГОм;
Неинвертирующий идеальный операционный усилитель
Неинвертирующий идеальный операционный усилитель На рис. 5.3 показана другая простая схема на ОУ. В ней напряжение vs подключено к неинвертирующему (+) входу. На рис. 5.4 показана модель и приведены параметры элементов. Рис. 5.3. Неинвертирующий усилитель на базе идеального
Операционный усилитель с дифференциальным входом
Операционный усилитель с дифференциальным входом Если входной сигнал подается между инвертирующим и неинвертирующим входами, на выходе ОУ получается усиленная разность входных напряжений. Чтобы упростить анализ, примем, что на рис. 5.5 Ri=R3=5 кОм и R2=R4=10 кОм. Модель PSpice для
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Входные характеристики схемы с общим эмиттером
Входные характеристики схемы с общим эмиттером Входные характеристики могут быть получены из входного файла, который ссылается на встроенную модель следующим образом:BJT Input CharacteristicsIBB 0 1 100uARs 1 0 1000kRL 2 3 1kQ1 2 1 0 BJTVCC 3 0 12V.MODEL BJT NPN.DC IBB 0 100uA 1uA.PROBE.ENDИз рис. 9.21 видно, что для этой
Усилители с общим эмиттером
Усилители с общим эмиттером Простая схема каскада с ОЭ показана на рис. 10.5. Входной контур получен путем преобразования более сложной цепи с помощью теоремы Тевенина. Мы проводим анализ при частоте 5 кГц, при которой конденсаторы могут рассматриваться просто как короткое
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором Когда усилитель ОЭ использует эмиттерный резистор, не шунтированный конденсатором, коэффициент усиления по напряжению схемы уменьшается, зато улучшается частотная характеристика. Схема с
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером Когда в усилителе с ОЭ для стабилизации параметров смещения используется эмиттерный резистор RЕ, он шунтируется конденсатором СЕ с такой емкостью, чтобы на частоте входного сигнала эмиттер можно было бы считать
Усилитель без эмиттерного конденсатора
Усилитель без эмиттерного конденсатора Обратимся к рис. 10.13, где приведена схема без СЕ. Входной файл для анализа: Phase Relations in СЕ AmplifierVCC 4 0 12VR1 4 1 40kR2 1 0 5kRC 4 2 1kRE 3 0 100Rs 6 5 100RB 1 1A 0.01C1 5 1 15uFQ1 2 1A 3 BJT.MODEL BJT NPN (BF=80)vs 6 0 sin (0 10mV 5kHz).TRAN 0.02ms 0.2ms.PROBE.END Проведите анализ и получите в Probe графики
Усилитель с эмиттерным конденсатором
Усилитель с эмиттерным конденсатором Однако обычно усилитель работает с конденсатором СЕ, подключенным параллельно RЕ. Давайте снова вставим во входной файл исключенную строкуСЕ 3 0 10uFи заново выполним анализ. Получите в Probe только график напряжения на эмиттере,
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
12.5. МОП-транзисторный усилитель как усилитель постоянного напряжения
12.5. МОП-транзисторный усилитель как усилитель постоянного напряжения Входной фильтр выходного МОП-транзисторного каскада, состоящий из R3, R4, С2 и С3, образует полосовой фильтр. Он настроен таким образом, что подходит для любых источников низкочастотных сигналов