Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером
Рассмотрим теперь трехкаскадный усилитель с общим эмиттером. Анализировать эту схему без использования компьютера слишком трудно. Здесь также приходит на помощь PSpice, позволяя провести глубокий анализ схемы при различных параметрах. После этого мы введем в схему резистор обратной связи, включив его между коллектором последнего каскада и базой первого. В заключение мы рассмотрим, какие коррективы должны быть внесены, чтобы убрать большой максимум в характеристике усилителя с обратной связью. Модель усилителя представлена на рис. 4.21. Мы снова используем упрощенную гибридную ?-модель для каждого транзистора. Для простоты резистор нагрузки каждого каскада выбран равным 2 кОм. Фактически резистор нагрузки каждого из первых двух каскадов представляет параллельное соединение коллекторного и смещающего резисторов. И напряжение источника V=0,1 мВ при Rs=50 Ом.
Рис. 4.21. Модель трехкаскадного усилителя ОЭ
Входной файл:
Three-Stage СЕ Amplifier Frequency Response
V 1 0 AC 1mV
G1 4 0 3 50mS
G2 6 0 5 50mS
G3 8 0 7 50mS
RS 1 2 50
RBB1 2 3 100
RBE1 3 0 1k
RL1 4 0 2e
RBB2 4 5 100
RBE2 5 0 1k
RL2 6 0 2K
RBB3 6 7 100
RE3 7 0 1k
RL3 8 0 2k
CE1 3 0 100pF
NN1 3 4 3pF
CE2 5 0 100pF
CC2 5 6 3pF
CE3 7 0 100pF
CC3 7 8 3pF
.AC DEC 2 0 10kHz 1MEGHz
.PROBE
.END
Проведите анализ, показав, что среднечастотное значение V(8)=9,046 В. Затем получите график
20·lg(V(8)/9,05V)
и выясните, что отметка в 3 дБ соответствует частоте f=420 кГц. Коэффициент усиления, вероятно, значительно больше необходимого, и частотная характеристика немного не умещается в диапазоне в отличие от характеристики для схемы с обратной связью. Сравните ваши результаты с кривой на рис. 4.22.
Рис. 4.22 Характеристика Боде для схемы на рис. 4.21
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Частотные зависимости полных проводимостей
Частотные зависимости полных проводимостей Графическая методика, которая часто используется в схемотехническом анализе на переменном токе, основана на нахождении годографов полных сопротивлений или полных проводимостей. Если элементы включены последовательно,
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами На рис. 3.28 показана упрощенная модель для использования в PSpice, на рис. 3.29 — схема ОЭ, использующая эту модель. Входной файл для анализа приведен далее: Simplified h-Parameter AnalysisVS 1 0 1mVVO 3 0 0VF 4 0 VO 50RS 1 2
4. Многокаскадные усилители, частотные характеристики и цепи обратной связи
4. Многокаскадные усилители, частотные характеристики и цепи обратной связи Эта глава охватывает ряд тем, касающихся исследования частотных характеристик. Мы рассмотрим, как частота влияет на выходное напряжение на графиках Боде, поговорим о записи различных величин в
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором Обычно в усилителе с общим эмиттером (ОЭ) используют шунтирующий конденсатор, подобный Се на рис. 4.5, включенный параллельно Re, что позволяет увеличить коэффициент усиления по напряжению. Проблема состоит в том,
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению В качестве примера, относящегося уже не к колебательному контуру, а к усилителю, на рис. 4.18 показана упрощенная гибридная ?-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению. Рис.
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером Для дальнейшей иллюстрации влияния обратной связи на диапазон частот на рис. 4.19 показана модель двухкаскадной схемы ОЭ с параллельной обратной связью по току. Мы снова выбрали упрощенную
Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя
Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя При получении частотных характеристик ОУ следует использовать модель, учитывающую изменение его параметров при увеличении частоты. Для ОУ с типовыми характеристиками мы предлагаем модель, представленную на
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Входные характеристики схемы с общим эмиттером
Входные характеристики схемы с общим эмиттером Входные характеристики могут быть получены из входного файла, который ссылается на встроенную модель следующим образом:BJT Input CharacteristicsIBB 0 1 100uARs 1 0 1000kRL 2 3 1kQ1 2 1 0 BJTVCC 3 0 12V.MODEL BJT NPN.DC IBB 0 100uA 1uA.PROBE.ENDИз рис. 9.21 видно, что для этой
Усилители с общим эмиттером
Усилители с общим эмиттером Простая схема каскада с ОЭ показана на рис. 10.5. Входной контур получен путем преобразования более сложной цепи с помощью теоремы Тевенина. Мы проводим анализ при частоте 5 кГц, при которой конденсаторы могут рассматриваться просто как короткое
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором Когда усилитель ОЭ использует эмиттерный резистор, не шунтированный конденсатором, коэффициент усиления по напряжению схемы уменьшается, зато улучшается частотная характеристика. Схема с
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером Когда в усилителе с ОЭ для стабилизации параметров смещения используется эмиттерный резистор RЕ, он шунтируется конденсатором СЕ с такой емкостью, чтобы на частоте входного сигнала эмиттер можно было бы считать
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
Амплитудно-частотная характеристика операционных усилителей
Амплитудно-частотная характеристика операционных усилителей Модель ОУ на рис. 5.8 достаточно проста, чтобы использовать ее в Capture, но она хороша при изучении ОУ, поскольку при схемотехническом анализе позволяет лучше понять процессы в ОУ. Используем схему на рис. 5.9 в
13.4. Минимизация шума усилителя
13.4. Минимизация шума усилителя Вклады отдельных компонентов усилителя в полный шум существенно различаются. Поэтому при проектировании усилителя очень важно выявить те компоненты, участие которых наиболее значительно. В разделе 9.2 вы изображали на экране PROBE полный шум