Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами
На рис. 3.28 показана упрощенная модель для использования в PSpice, на рис. 3.29 — схема ОЭ, использующая эту модель. Входной файл для анализа приведен далее:
Simplified h-Parameter Analysis
VS 1 0 1mV
VO 3 0 0V
F 4 0 VO 50
RS 1 2 1k
RI 2 3 1.1K
RL 4 0 10K
.OP
.OPT nopage
.TF V(4) VS
.END
Рис. 3.28. Упрощенная модель в z-параметрах
Рис. 3.29. Схема усилителя ОЭ, использующая упрощенную модель в z-параметрах
Вы можете легко предсказать результаты этого анализа, воспользовавшись ручным расчетом. Сравните ваши предсказания с ответами, полученными на PSpice.
Больше книг — больше знаний!
Заберите 20% скидку на все книги Литрес с нашим промокодом
8.15. Эхо-сервер TCP и UDP, использующий функцию select
Теперь мы объединим наш параллельный эхо-сервер TCP из главы 5 и наш последовательный эхо-сервер UDP из данной главы в один сервер, использующий функцию select для мультиплексирования сокетов TCP и UDP. В листинге 8.14 представлена
Малосигнальная модель с h-параметрами для биполярных транзисторов
Точной моделью для биполярных транзисторов, широко используемой при анализе на малых сигналах, является модель в h-параметрах, показанная на рис. 3.5. Эта модель с соответствующими значениями используется
Упрощенная модель с h-параметрами
Предыдущие примеры были основаны на полной модели в h-параметрах для транзистора, которая обычно используется для анализа при малом низкочастотном сигнале. Для анализа ряда транзисторных схем можно использовать также упрощенную модель
Усилитель с общим эмиттером и шунтирующим конденсатором
Обычно в усилителе с общим эмиттером (ОЭ) используют шунтирующий конденсатор, подобный Се на рис. 4.5, включенный параллельно Re, что позволяет увеличить коэффициент усиления по напряжению. Проблема состоит в том,
Колебательный контур как модель двухполюсного усилителя с обратными связями
Продолжая тему, связанную с анализом частотных характеристик на PSpice, рассмотрим простую схему на рис. 4.14. Схема, состоящая из сопротивления, катушки индуктивности и конденсатора может
Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению
В качестве примера, относящегося уже не к колебательному контуру, а к усилителю, на рис. 4.18 показана упрощенная гибридная ?-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению.
Рис.
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером
Для дальнейшей иллюстрации влияния обратной связи на диапазон частот на рис. 4.19 показана модель двухкаскадной схемы ОЭ с параллельной обратной связью по току. Мы снова выбрали упрощенную
Амплитудно-частотные характеристики для трехкаскадного усилителя с общим эмиттером
Рассмотрим теперь трехкаскадный усилитель с общим эмиттером. Анализировать эту схему без использования компьютера слишком трудно. Здесь также приходит на помощь PSpice, позволяя провести
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Входные характеристики схемы с общим эмиттером
Входные характеристики могут быть получены из входного файла, который ссылается на встроенную модель следующим образом:BJT Input CharacteristicsIBB 0 1 100uARs 1 0 1000kRL 2 3 1kQ1 2 1 0 BJTVCC 3 0 12V.MODEL BJT NPN.DC IBB 0 100uA 1uA.PROBE.ENDИз рис. 9.21 видно, что для этой
Усилители с общим эмиттером
Простая схема каскада с ОЭ показана на рис. 10.5. Входной контур получен путем преобразования более сложной цепи с помощью теоремы Тевенина. Мы проводим анализ при частоте 5 кГц, при которой конденсаторы могут рассматриваться просто как короткое
Усилитель с общим эмиттером с нешунтированным эмиттерным резистором
Когда усилитель ОЭ использует эмиттерный резистор, не шунтированный конденсатором, коэффициент усиления по напряжению схемы уменьшается, зато улучшается частотная характеристика. Схема с
Фазовые соотношения в усилителе с общим эмиттером
Когда в усилителе с ОЭ для стабилизации параметров смещения используется эмиттерный резистор RЕ, он шунтируется конденсатором СЕ с такой емкостью, чтобы на частоте входного сигнала эмиттер можно было бы считать
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
