Читайте также
Управление конфигурационными параметрами
В предыдущих разделах рассматривалась компиляция модуля управления удочкой при условии, что установлен конфигурационный параметр CONFIG_FISHING_POLE. Конфигурационные параметры рассматривались в предыдущих главах, а теперь давайте
Упрощенная модель с h-параметрами
Предыдущие примеры были основаны на полной модели в h-параметрах для транзистора, которая обычно используется для анализа при малом низкочастотном сигнале. Для анализа ряда транзисторных схем можно использовать также упрощенную модель
Анализ усилителя с общим эмиттером, использующий упрощенную модель с h-параметрами
На рис. 3.28 показана упрощенная модель для использования в PSpice, на рис. 3.29 — схема ОЭ, использующая эту модель. Входной файл для анализа приведен далее: Simplified h-Parameter AnalysisVS 1 0 1mVVO 3 0 0VF 4 0 VO 50RS 1 2
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Применение собственных моделей с h-параметрами
Сравним теперь нахождение коэффициентов усиления по напряжению и по току двумя методами: при использовании встроенной модели PSpice и при применении нашей собственной модели в h-параметрах для усилителя ОЭ. Последний метод
Триггер на биполярных транзисторах
Рис. 10.22. Триггер на биполярных транзисторахТриггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах
На рис. 10.29 показан мультивибратор с эмиттерными связями, использующий стандартные компоненты. Его подробный анализ приведен в книге Millman, Taub, Pulse, Digital, and Switching Waveforms. При анализе принимается, что Q1
Выходные характеристики полевых транзисторов
Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов (JFET) в библиотеке EVAL.LIB. Получим необходимый набор выходных характеристик для транзистора J2N3819. Входной файл для анализа схемы рис.
Токи смещения полевых транзисторов
Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле: n-Channel JFET Bias CircuitVDD 4 0 18VRG 1 0
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
Использование моделей с h-параметрами
В главе 3 h-параметры для транзистора использовались, чтобы показать, как академическая модель для биполярного транзистора (BJT) обрабатывается в PSpice. В модели были использованы два зависимых источника Е и F. Когда эта схема получена в
Характеристики полевых транзисторов
Демонстрационная версия OrCAD имеет компоненты J2N3819 и J2N4393 в качестве моделей для полевых n-канальных транзисторов (JFET). Чтобы получить семейство выходных характеристик, создайте новый проект с именем Jfetch. Используем простую схему (рис.
Вызов методов с параметрами
Чтобы показать пример динамического вызова метода, имеющего параметры, предположим, что тип MiniVan определяет метод, который называется TellChildToBeQuiet().// Усмирение вопящих…public void TellChildToBeQuiet(string kidName, int shameIntensity) { for (int i = 0; i ‹ shameIntensity;
