Использование моделей с h -параметрами
Использование моделей с h-параметрами
В главе 3 h-параметры для транзистора использовались, чтобы показать, как академическая модель для биполярного транзистора (BJT) обрабатывается в PSpice. В модели были использованы два зависимых источника Е и F. Когда эта схема получена в Capture, ее едва можно узнать, так как Е и F показаны как два четырехполюсника с входными полюсами слева и выходными справа. На рис. 3.7 усилитель ОЭ показан при входном сигнале в 1 мВ. Хотя на схеме был показан входной источник переменного напряжения, было указано, что мы могли бы обмануть PSpice, получив полезную информацию при анализе на постоянном токе (для точки покоя) и интерпретировав затем результаты для переменного тока. Это экономит время и усилия, если схема не содержит реактивных элементов.
Мы можем теперь создать схему в Capture, дав этому проекту имя hparmod и использовав в нем источник постоянного напряжения Vs=1 мВ и резисторы Rs=1 кОм, Ri=1,1 кОм, R0=40 кОм и RL=10 кОм. Поскольку выходной ток F определяет ток базы Ib, входные полюса подключены последовательно с резисторами Rs и Ri и выходными полюсами источника Е, входные полюса компонента Е должны быть подключены параллельно резистору R0, как и показано на схеме (рис. 15.20). При этом нет необходимости использовать V0, как на рис. 3.7, поскольку эту роль выполняют выходные полюса источника Е. Установим следующие значения коэффициентов усиления: F=50 (для hfe) и Е=2,5Е-4 (для hre). Пронумеруйте узлы и подготовьте конфигурацию моделирования, используя имя hparmods и запросив анализ для получения параметров смещения. Должны быть установлены опции анализа .OP и «Calculate small-signal DC gain (.TF).» Используйте для входного источника имя Vs и для выходной переменной величину V(4).
Рис. 15.20. Модель в h-параметрах для биполярного транзистора BJT
Выполните моделирование и проверьте отсутствие ошибок. Если их нет, закройте выходной файл и используйте Word, чтобы распечатать сокращенную версию этого файла, как показано на рис. 15.21. Сравните ваши результаты с показанными на рис. 3.8. Полученные значения должны быть теми же, но нумерация узлов должна отличаться. Обратите внимание, что путем включения «проверки» с помощью команды .TF мы получили V(4)/V_Vs=-2,000Е+02 и входное сопротивление относительно V_Vs равным 2,0000Е+03 и выходное сопротивление относительно V(4) равным 8.400Е+03. Мы снова убеждаемся, что при использовании PSpice, как в главе 3, для анализа потребовалось значительно меньше времени, чем для анализа в Capture, при котором схема моделировалась более громоздким способом.
**** 10/02/99 20:25:15 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
** circuit file for profile: hparmods
*Libraries:
* Local Libraries :
* From [PSPICE NETLIST] section of pspiceev.ini file:
.lib nom.lib
*Analysis directives:
.OP
.TF V([4]) V_Vs
.PROBE
*Netlist File:
.INC "hparmod-SCHEMATIС1.net"
*Alias File:
**** INCLUDING hparmod-SCHEMATIC1.net ****
* source HPARMOD
F_F 4 0 VF_F 50
VF_F 3 5 0V
E_E 5 0 4 0 2.5E-4
R_RL 4 0 10k
R_Ro 4 0 40k
R_Ri 2 3 1.1k
R_Rs 1 2 1k
V_Vs 1 0 1mV
**** RESUMING hparmod-SCHEMATIC1-hpamods.sim.cir
**** .INC "hparmod-SCHEMATIC1.als"
INCLUDING hparmod-SCHEMATIC1.als ****
.ALIASES
F_F F(3=4 4=0 )
VF_F F(1=3 2=5 )
E_E E(3=5 4=0 1=4 2=0 )
R_RL RL(1=4 2=0 )
R_Ro Ro(1=4 2=0 )
R_Ri Ri(1=2 2=3 )
R_Rs Rs(1=1 2=2 )
V_Vs Vs(+=l -=0 )
_ _(1=1)
_ _(2=2)
_ _(3=3)
_ _(4=4)
_ _(5=5)
.ENDALIASES
**** RESUMING hparmod-SCHEMATIC1-hparmods.sim.cir ****
.END
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .0010 ( 2) 500.0Е-06 ( 3) -50.00E-06 ( 4) -.2000
( 5) -50.00E-06
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VF_F 5.000E-07
V_Vs -5.000E-07
TOTAL POWER DISSIPATION 5.00E-10 WATTS
**** VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E_E
V-SOURCE -5.000E-05
I-SOURCE 5.000E-07
**** CURRENT-CONTROLLED CURRENT SOURCES
NAME F_F
I-SOURCE 2.500E-05
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(4)/V_Vs = -2.000E+02
INPUT RESISTANCE AT V_Vs = 2.000E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(4) = 8.400E+03
Рис. 15.21. Выходной файл для модели в h-параметрах
Упражнение по созданию графической схемы было, однако, поучительно, и анализ заслуживает внимания, по крайней мере, с этой точки зрения. Обратите внимание на строку файла псевдонимов для зависимого источника E_E:
E_E 5 0 4 0 2.5Е- 4
Первые два полюса (5, 0) — выходные полюсы, показывают расположение зависимого источника в схеме, в то время как входные полюсы (4, 0) указывают на управляющее напряжение (от которого зависит E) снимаемое с R0. Зависимый источник F_F описан как
F_F 4 0 VF_F 50
Первые два полюса (4, 0) являются выходными полюсами, показывающими, где вводится в схему ток F. Входные полюсы включены в контур последовательно с компонентами, через которые проходит независимый ток (управляющий источником F). В команде F_F эта управляющая цепь показана именем источника напряжения в контуре. Контур, через который проходит ток Ib, включает также и напряжение Е, что ясно видно из схемы.
В перечне элементов (netlist) имеется команда ввода
VF_F 3 5 0V
Эта строка была сформирована программой, чтобы ввести в листинг источник И), который был необходим в схеме на рис. 3.7 вместе с листингом F, который использовался в PSpice.
Не забудьте, что наши результаты можно при желании представить в действующих значениях для переменных составляющих, и обратите внимание на следующее: ток через источник напряжения VF_F равен 5.000Е-07 А. Это ток базы. С помощью других известных значений это легко проверить:
Источники напряжения, управляемые напряжением, обозначенные на рис. 15.21 как V-SOURCE, задают напряжение на узле 3, равное -50 мкВ, а компонент I-SOURCE создает ток в выходном контуре F. Поскольку коэффициент усиления источника F равен 50, ток F=50Ib=25 мА. После деления между двумя сопротивлениями ток через RL равен (0,8·25)мкА=20 мкА. На рисунке этот ток направлен вверх, что нужно показать также и на вашей схеме. Напряжение на узле 4 равно (-20 мкА)(10 кОм)=0,2 В, что подтверждает значение, приведенное в выходном файле. Это отрицательное выходное напряжение, инвертированное относительно напряжения Vs.
Данный текст является ознакомительным фрагментом.