Триггер на биполярных транзисторах

Триггер на биполярных транзисторах

Рис. 10.22. Триггер на биполярных транзисторах

Триггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в режиме глубокой отсечки, в то время как другой транзистор должен быть насыщен. Допустим, что в начальном состоянии транзистор Q₁ заперт, а транзистор Q₂ включен. Воспользуемся стандартными методами анализа:

Этого обратного смещения достаточно, чтобы запереть Q₁. Определим ток коллектора для другого транзистора, вычислив I_RC2 и I_R2:

полагая, что V₄=0. 

Ток коллектора транзистора Q₂ будет соответствовать разности:

I_C2 = I_RC2 – I_R2 = 5,35мА.

При этом минимальный ток базы I_В2, необходимый для насыщения Q₂, равен

Ток базы можно найти как разность двух компонентов:

приняв V₅=0.

Ток базы I_В2 транзистора Q₂ равен:

I_B2 = I_R1 – I_R4 = 0,58 мА,

и имеет значение, намного превышающее минимум, требуемый для насыщения. 

Так как схема симметричная, и мы предполагали, что изначально транзистор Q₁ включен, а транзистор Q₂ выключен, анализ приведет к аналогичным результатам, если начальное состояние транзисторов будет противоположным. 

Данный текст является ознакомительным фрагментом.