Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах
При использовании усилителя на полевом транзисторе в широком диапазоне частот необходимо учитывать внутренние емкости транзисторов. На рис. 3.33 приведена модель усилителя с общим истоком (ОИ), включающая емкости Cgd, Cgs, и Cds. Обычно они малы. В нашем примере для них выбраны следующие значения: Cgs=3 пФ; Cds=1 пФ; Cgd=2,8 пФ. Другие исходные значения равны: gm=1,6 мС; rd=44 кОм; Rs=1 кОм и RL=100 кГц. Для анализа на PSpice выберем частотный диапазон от 100 Гц до 100 кГц. Емкости будут влиять на процессы только на высоких частотах. Входной файл имеет следующий вид:
Common-Source Amplifier; High-Frequency Model
VI 1 0 AC 1mV
G 3 0 2 0 1.6mS
RD 3 0 44k
RL 3 0 100k
RS 1 2 1k
CGS 2 0 3pF
CGD 2 3 2.8pF
CDS 3 0 1pF
.AC DEC 2 0 100 10MEG
.PROBE
.END
Рис. 3.33. Высокочастотная модель усилителя ОИ
Выполните анализ и получите распечатку результатов, проведите частотный анализ в Probe, использовав логарифмическую шкалу частот по оси X и выведя V(3) на оси Y. Можете ли вы установить, при какой частоте выходное напряжение существенно снижается? Поскольку это не график Боде, эту частоту трудно определить. Удалите этот график и получите новый, логарифмический, график, соответствующий уравнению
20·lg(V(3)/49мВ).
Теперь мы получили график Боде в стандартной форме. В формуле значение 49 мВ представляет собой коэффициент усиления на средних частотах, показанный на первом графике. Мы использовали это значение, чтобы нормализовать график. Вертикальная ось теперь имеет начальную отметку в верхней части шкалы и диапазон от -5 до -30. Измените шкалу по оси X, чтобы показать частотный диапазон от 100 Гц до 5 МГц. Используйте курсор, чтобы убедиться, что ослабление в 3 дБ достигается при частоте f=619 кГц. Получите распечатку и проведите касательные к обеим линейным частям кривой. Координата точки, где эти линии пересекутся, будет соответствовать значению 3 дБ. График приведен на рис. 3.34.
Рис. 3.34. Выходной файл при анализе схемы на рис. 3.33
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя
Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя При получении частотных характеристик ОУ следует использовать модель, учитывающую изменение его параметров при увеличении частоты. Для ОУ с типовыми характеристиками мы предлагаем модель, представленную на
Дифференцирующие схемы на базе операционного усилителя
Дифференцирующие схемы на базе операционного усилителя Дифференцирующая схема, построенная на базе идеального ОУ, показана на рис. 5.15, а. Поскольку инвертирующий вход заземлен, vc=v. Легко показать, что при R=0,5 Ом Таким образом, когда входное напряжение имеет форму
Передаточная характеристика дифференциального усилителя
Передаточная характеристика дифференциального усилителя Важным аспектом при работе с дифференциальным усилителем является исследование его передаточной характеристики. Использование встроенной модели для транзистора облегчает эту задачу. Поскольку нас интересует
Триггер на биполярных транзисторах
Триггер на биполярных транзисторах Рис. 10.22. Триггер на биполярных транзисторахТриггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах На рис. 10.29 показан мультивибратор с эмиттерными связями, использующий стандартные компоненты. Его подробный анализ приведен в книге Millman, Taub, Pulse, Digital, and Switching Waveforms. При анализе принимается, что Q1
Выходные характеристики полевых транзисторов
Выходные характеристики полевых транзисторов Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов (JFET) в библиотеке EVAL.LIB. Получим необходимый набор выходных характеристик для транзистора J2N3819. Входной файл для анализа схемы рис.
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три
Токи смещения полевых транзисторов
Токи смещения полевых транзисторов Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле: n-Channel JFET Bias CircuitVDD 4 0 18VRG 1 0
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
Характеристики полевых транзисторов
Характеристики полевых транзисторов Демонстрационная версия OrCAD имеет компоненты J2N3819 и J2N4393 в качестве моделей для полевых n-канальных транзисторов (JFET). Чтобы получить семейство выходных характеристик, создайте новый проект с именем Jfetch. Используем простую схему (рис.
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти
Амплитудно-частотная характеристика операционных усилителей
Амплитудно-частотная характеристика операционных усилителей Модель ОУ на рис. 5.8 достаточно проста, чтобы использовать ее в Capture, но она хороша при изучении ОУ, поскольку при схемотехническом анализе позволяет лучше понять процессы в ОУ. Используем схему на рис. 5.9 в
Частотная характеристика uA741
Частотная характеристика uA741 Используем снова значения из примера в начале этой главы, чтобы можно было сравнить нашу модель с более совершенной моделью uA741.Начните в Capture проект с именем opamp. Когда компонент из библиотеки eval появится на рабочем поле, вы обнаружите у него
13.4. Минимизация шума усилителя
13.4. Минимизация шума усилителя Вклады отдельных компонентов усилителя в полный шум существенно различаются. Поэтому при проектировании усилителя очень важно выявить те компоненты, участие которых наиболее значительно. В разделе 9.2 вы изображали на экране PROBE полный шум