Выходные характеристики полевых транзисторов
Выходные характеристики полевых транзисторов
Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов (JFET) в библиотеке EVAL.LIB. Получим необходимый набор выходных характеристик для транзистора J2N3819. Входной файл для анализа схемы рис. 11.1 содержит следующие команды:
Output Characteristics for JFET J2N3819
VGS 1 0 0V
VDD 2 0 12V
JFET 2 10 J2M3819
.DC VDD 0 12V 0.2V VGS 0 -4V 1V
.PROBE
.LIB EVAL.LIB
.END
Рис. 11.1. Схема для снятия характеристик полевых транзисторов JFET
Вложенный цикл команды .DC позволяет получить пять характеристик при целочисленных значениях VGS от 0 до -4 В.
Однако после выполнения анализа вы обнаружите только четыре характеристики (рис. 11.2). Так как верхний график соответствует VGS=0 В, остальные соответствуют значения VGS в -1, -2 и -3 В, а характеристика для VGS=-4 В отсутствует, так как при этом VGS лежит ниже значения отсечки. Очевидно, отсечка происходит при значении -3 В. Зная диапазон рабочих значений VGS и соответствующий ему диапазон токов ID, мы можем теперь разработать схему смещения для этого транзистора.
Рис. 11.2. Выходные характеристики транзисторов JFET
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Глава 17. Выходные на носу
Глава 17. Выходные на носу И в газете «Ведомости», и в «ЭхоНете» на протяжении нескольких лет в последний день рабочей недели, накануне выходных, когда даже в пафосных офисах смягчают дресс-код и не так строго следят за дисциплиной, я рассказываю об онлайновых играх. Не
Малосигнальная модель с h -параметрами для биполярных транзисторов
Малосигнальная модель с h-параметрами для биполярных транзисторов Точной моделью для биполярных транзисторов, широко используемой при анализе на малых сигналах, является модель в h-параметрах, показанная на рис. 3.5. Эта модель с соответствующими значениями используется
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах При использовании усилителя на полевом транзисторе в широком диапазоне частот необходимо учитывать внутренние емкости транзисторов. На рис. 3.33 приведена модель усилителя с общим истоком (ОИ), включающая
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Выходные характеристики
Выходные характеристики Схема для получения выходных характеристик (рис. 10.1) содержит источник постоянного напряжения VCC с варьируемым выходным напряжением и источник постоянного тока IВ с варьируемым током. Транзистор обозначен как Q1. При использовании встроенной
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три
Токи смещения полевых транзисторов
Токи смещения полевых транзисторов Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле: n-Channel JFET Bias CircuitVDD 4 0 18VRG 1 0
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Выходные характеристики
Выходные характеристики Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. 11.11. Входной файл для нее:n-Channel MOSFET Output CharacteristicsVDD 2 0 12VVGS 1 0 0VMFET 2 10 0 IRF150; сток, исток, затвор и подложка.DC VDD 0 12V 0.8V VGS 0 8V 1V.LIB EVAL.LIB.PROBE.END Рис. 11.11. Схема для снятия характеристик
Выходные характеристики Q2N3904
Выходные характеристики Q2N3904 Для получения выходных характеристик вернемся к схеме на рис. 10.1. Создайте новый проект в Capture с именем bjtchar. Введем компонент IDC, затем R (для RB), затем снова R (для RC), затем VDC и 0 для «земли». Затем выберем транзистор типа Q2N3904 из библиотеки eval.
Характеристики полевых транзисторов
Характеристики полевых транзисторов Демонстрационная версия OrCAD имеет компоненты J2N3819 и J2N4393 в качестве моделей для полевых n-канальных транзисторов (JFET). Чтобы получить семейство выходных характеристик, создайте новый проект с именем Jfetch. Используем простую схему (рис.
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти
9.3.2. Выходные операнды
9.3.2. Выходные операнды Во второй секции указаны выходные операнды инструкции. Каждому операнду соответствует строка адресации и выражение языка С, записанное в скобках. В случае выходных операндов (все они должны быть левосторонними значениями) строка адресации должна