Читайте также
Глава 17. Выходные на носу
И в газете «Ведомости», и в «ЭхоНете» на протяжении нескольких лет в последний день рабочей недели, накануне выходных, когда даже в пафосных офисах смягчают дресс-код и не так строго следят за дисциплиной, я рассказываю об онлайновых играх. Не
Малосигнальная модель с h-параметрами для биполярных транзисторов
Точной моделью для биполярных транзисторов, широко используемой при анализе на малых сигналах, является модель в h-параметрах, показанная на рис. 3.5. Эта модель с соответствующими значениями используется
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах
При использовании усилителя на полевом транзисторе в широком диапазоне частот необходимо учитывать внутренние емкости транзисторов. На рис. 3.33 приведена модель усилителя с общим истоком (ОИ), включающая
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики
Выходные характеристики
Схема для получения выходных характеристик (рис. 10.1) содержит источник постоянного напряжения VCC с варьируемым выходным напряжением и источник постоянного тока IВ с варьируемым током. Транзистор обозначен как Q1. При использовании встроенной
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три
Токи смещения полевых транзисторов
Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле: n-Channel JFET Bias CircuitVDD 4 0 18VRG 1 0
Усилители на полевых транзисторах
Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Выходные характеристики
Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. 11.11. Входной файл для нее:n-Channel MOSFET Output CharacteristicsVDD 2 0 12VVGS 1 0 0VMFET 2 10 0 IRF150; сток, исток, затвор и подложка.DC VDD 0 12V 0.8V VGS 0 8V 1V.LIB EVAL.LIB.PROBE.END
Рис. 11.11. Схема для снятия характеристик
Выходные характеристики Q2N3904
Для получения выходных характеристик вернемся к схеме на рис. 10.1. Создайте новый проект в Capture с именем bjtchar. Введем компонент IDC, затем R (для RB), затем снова R (для RC), затем VDC и 0 для «земли». Затем выберем транзистор типа Q2N3904 из библиотеки eval.
Характеристики полевых транзисторов
Демонстрационная версия OrCAD имеет компоненты J2N3819 и J2N4393 в качестве моделей для полевых n-канальных транзисторов (JFET). Чтобы получить семейство выходных характеристик, создайте новый проект с именем Jfetch. Используем простую схему (рис.
Усилители на полевых транзисторах
В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти
9.3.2. Выходные операнды
Во второй секции указаны выходные операнды инструкции. Каждому операнду соответствует строка адресации и выражение языка С, записанное в скобках. В случае выходных операндов (все они должны быть левосторонними значениями) строка адресации должна
