Выходные характеристики

Выходные характеристики

Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. 11.11. Входной файл для нее:

n-Channel MOSFET Output Characteristics

VDD 2 0 12V

VGS 1 0 0VMFET 2 10 0 IRF150; сток, исток, затвор и подложка

.DC VDD 0 12V 0.8V VGS 0 8V 1V

.LIB EVAL.LIB

.PROBE

.END

Рис. 11.11. Схема для снятия характеристик МОП-транзисторов

Как показано на рис. 11.11, источник и подложка объединены, как и требуется. Выходные характеристики показаны на рис. 11.12. В качестве примера больших токов стока отметим, что при V_GS=5 В ток насыщения становится больше 7 А. Входной файл библиотечной модели для IRF150 задает пороговое значение напряжения при нулевом смещении V_t0=2,831 В. Для n-канального устройства это напряжение является положительным.

Рис. 11.12. Выходные характеристики МОП-транзистора

Данный текст является ознакомительным фрагментом.