Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах
Мультивибратор с эмиттерными связями на биполярных транзисторах
На рис. 10.29 показан мультивибратор с эмиттерными связями, использующий стандартные компоненты. Его подробный анализ приведен в книге Millman, Taub, Pulse, Digital, and Switching Waveforms. При анализе принимается, что Q1 насыщается, a Q2 — нет. Мы устанавливаем начальное напряжение на коллекторе Q1 равным 25 В. Вы можете попробовать несколько различных значений напряжения в команде .nodeset и сравнить результаты. Теоретический анализ дает для периода колебаний значение Т=145,6 мкс.
Рис. 10.29. Мультивибратор с эмиттерными связями
В качестве упражнения создайте собственный входной файл для этой схемы. Убедитесь, что результаты, полученные в Probe, дают Т=151,4 мкс. Графики напряжений на коллекторе показаны на рис. 10.30. Обратите внимание, что по оси X выбран временной интервал от 0,6 до 1,0 мс. Выходной файл показан на рис. 10.31
Рис. 10.30. Напряжения на коллекторах для схемы на рис. 10.29
**** 07/27/99 15:53:59 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) ***********
Emitter-coupled multivibrator
VCC 4 0 30V
R1 4 2 10
R2 2 0 20
R3 2 3 1k
RC1 4 3 1k
RC2 4 8 200
RE1 1 0 3.3k
RE2 7 0 3.3k
C1 2 0 0.1uF
C2 1 7 0.1uF
Q1 3 2 1 QN
Q2 8 3 7 QN
.MODEL QN NPN(IS=1E-12 BF=30 BR=1 TF=0.2ns TR=5ns)
.NODESET V(3)=25V
.OP
.opt nopage
.PRINT DC I(RC1) I(RC2) I(RE1) I(RE2)
.TRAN 0.5us 1ms
.PROBE
.END
**** BJT MODEL PARAMETERS
QN
NPN
IS 1.000000E-12
BF 30
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 19.4310 ( 2) 20.0120 ( 3) 22.0520 ( 4) 30.0000
( 1) 21.4680 ( 8) 28.7410
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.013E+00
TOTAL POWER DISSIPATION 3.04E+01 WATTS
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1 Q2
MODEL QN QN
IB 1.90E-04 2.10E-04
IС 5.70E-03 6.30E-03
VBE 5.81E-01 5.84E-01
VBC -2.04E+00 -6.69E+00
VCE 2.62E+00 7.27E+00
BETADC 3.00E+01 3.00E+01
BETAAC 3.00E+01 3.00E+01
**** INITIAL TRANSIENT SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 19.4310 ( 2) 20.0120 ( 3) 22.0520 ( 4) 30.0000
( 7) 21.4680 ( 8) 28.7410
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.013E+00
TOTAL POWER DISSIPATION 3.04Е+01 WATTS
Рис. 10.31. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 10.29
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Малосигнальная модель с h -параметрами для биполярных транзисторов
Малосигнальная модель с h-параметрами для биполярных транзисторов Точной моделью для биполярных транзисторов, широко используемой при анализе на малых сигналах, является модель в h-параметрах, показанная на рис. 3.5. Эта модель с соответствующими значениями используется
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах
Частотная характеристика усилителя на полевых транзисторах При использовании усилителя на полевом транзисторе в широком диапазоне частот необходимо учитывать внутренние емкости транзисторов. На рис. 3.33 приведена модель усилителя с общим истоком (ОИ), включающая
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Колебательный контур как модель двухполюсного усилителя с обратными связями
Колебательный контур как модель двухполюсного усилителя с обратными связями Продолжая тему, связанную с анализом частотных характеристик на PSpice, рассмотрим простую схему на рис. 4.14. Схема, состоящая из сопротивления, катушки индуктивности и конденсатора может
Триггер на биполярных транзисторах
Триггер на биполярных транзисторах Рис. 10.22. Триггер на биполярных транзисторахТриггер, использующий транзисторы BJT npn-типа, показан на рис. 10.22. Для обеспечения правильной работы в этом мультивибраторе с двумя устойчивыми состояниями один транзистор должен находиться в
Симметричный мультивибратор
Симметричный мультивибратор Симметричный мультивибратор с коллекторными связями представляет собой автогенератор. Эта схема может быть трудна для анализа на PSpice, поскольку при некоторых наборах параметров процесс итераций может не сходиться. На рис. 10.25 представлена
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах
Изучение схем с общим эмиттером на биполярных транзисторах Для изучения цепей смещения в главе 10 была использована схема на рис. 10.7. Соберите эту схему в Capture, создав новый проект Bjtcase. Напомним, что необходимо трижды повернуть резисторы, чтобы первый полюс каждого
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти
Управление связями
Управление связями Теперь пользователям доступна более подробная информация о связях с другими книгами Excel. Можно быстро проверять состояние связей, исправлять их, обновлять и разрывать. Для этого предназначены кнопки группы Подключения вкладки
Владимир Попов о транзисторах с несколькими атомами примеси Алла Аршинова
Владимир Попов о транзисторах с несколькими атомами примеси Алла Аршинова Опубликовано 02 августа 2010 года Если говорить о мире высоких технологий, то очевидно, что сегодня человек как никогда близок к порогу, за которым кончается «микро» и