Входные характеристики схемы с общим эмиттером 

We use cookies. Read the Privacy and Cookie Policy

Входные характеристики схемы с общим эмиттером 

Входные характеристики могут быть получены из входного файла, который ссылается на встроенную модель следующим образом:

BJT Input Characteristics

IBB 0 1 100uA

Rs 1 0 1000k

RL 2 3 1k

Q1 2 1 0 BJT

VCC 3 0 12V

.MODEL BJT NPN

.DC IBB 0 100uA 1uA

.PROBE

.END

Из рис. 9.21 видно, что для этой модели npn-транзистора значение VBE в активной области составляет около 0,8 В. Поскольку оно приблизительно на 0,1 В выше, чем то же значение в применявшейся нами ранее собственной модели для BJT, стандартная модель даст результаты, которые несколько отличаются от полученных ранее.

Рис. 9.21. Входная характеристика для схемы на рис. 9.19

Больше книг — больше знаний!

Заберите 20% скидку на все книги Литрес с нашим промокодом

ПОЛУЧИТЬ СКИДКУ

Данный текст является ознакомительным фрагментом.