Задачи 

Задачи 

9.1. Однополупериодный выпрямитель, показанный на рис. 9.1, имеет следующие параметры: IS=1Е-9 A, VJ=0,8 В, IBV=1Е-6А и EG=0,72 эВ. Выполните анализ, аналогичный описанному в тексте, и сравните результаты с полученными ранее. Какие различия в результатах можно увидеть?

9.2. Диодная схема, содержащая последовательно включенные источники постоянного и переменного напряжений, показана на рис. 9.29.

Рис. 9.29

Используйте при анализе встроенную модель диода. Задайте значения V=0,8 В и R=1 кОм. Переменное напряжение задано синусоидальной функцией с амплитудой 0,2 В и частотой f=1 кГц.

а) Проведите анализ и получите в Probe графики напряжений v(2,1) и v(3). Проводит ли диод в течение всего периода? Проверьте и объясните результаты.

б) Проведите анализ при V=0,6 В. Объясните результаты.

в) Проведите анализ при V=0,4 В. Объясните результаты.

9.3. На рис. 9.4 приведена ВАХ для встроенной модели диода. Получите характеристику для диода, параметры которого приведены в задаче 9.1. Опишите все различия в двух кривых.

9.4. Двухполупериодный выпрямитель с емкостным фильтром, использующим конденсатор с емкостью С=25 мкФ, рассмотрен в тексте. Используйте аналогичный анализ, чтобы определить размах пульсаций и среднее значение выходного напряжения при С = 10 мкФ.

9.5. Схема, показанная на рис. 9.30, подобна схеме на рис. 9.12, за исключением того, что диод включен в обратном направлении. Проведите анализ при максимальном напряжении v_i=12 В, частоте f=60 Гц и V_R=8 В и получите входное и выходное напряжения. Попробуйте предсказать форму выходного напряжения и сравните предсказанные результаты с полученными в Probe.

Рис. 9.30

9.6. В схеме, приведенной на рис. 9.31, используются те же параметры, что и в задаче 9.5. Выходное напряжение снимается с последовательного соединения R и V_R. Предскажите форму выходного напряжения, затем выполните анализ на PSpice и сравните результаты.

Рис. 9.31

9.7. Для схемы на рис. 9.32, содержащей встроенную модель биполярного транзистора, найдите напряжения и токи покоя. Установите h_FE=80 (BF=80 в команде .MODEL). Обратите внимание, что схема подобна схеме на рис. 3.1. Сравните результаты, полученные здесь, с приведенными в главе 3. Обратите внимание, что имеются существенные различия в результатах. Напряжение VA (рис. 3.2) составляет 0,7 В, что отражает типичное для реальных транзисторов значение напряжения V_BE в активной области. При использовании встроенной модели выходной файл должен показать V_BE=0,806 В. Эти различия вызывают изменения в токе базы и других величинах, полученных в обоих случаях. Эта задача показывает одну из причин, по которым собственные модели (подобные рассмотренным в главе 3) часто предпочитают встроенным моделям.

Рис. 9.32

9.8. В схеме, показанной на рис. 9.33, получите стоковые характеристики полевого транзистора. Задайте изменение напряжения сток-исток V_DS от 0 до 18 В с шагом в 0,2 В. Используйте встроенную модель для плоскостного полевого транзистора (JFET) с обозначением NJF (полевой транзистор с n-канальным переходом).

а) Используйте напряжение затвор-исток V_GS=0 В. Найдите максимальный ток стока и напряжение отсечки.

б) Установите значение V_GS=-1 В и снова проведите анализ.

Рис. 9.33

9.9. На рис. 3.7 показана схема усилителя с общим эмиттером на биполярном транзисторе, использующая модель в h-параметрах. Если h-параметры не используются и для анализа выбирается встроенная модель, то на схеме должен быть показан источник питания V_cc и цепи базового смещения. Полная схема может быть, например, такой, как на рис. 9.34. Используйте встроенную модель для биполярных транзисторов (BJT), установив h_FF=50 (BF=50) и создав входной файл для определения коэффициента усиления по напряжению для низких частот. Анализ проведите на частоте 5 кГц. Сравните результаты с полученными при использовании модели в h-параметрах. Какой из методов предпочтителен для задач этого типа? Почему?

Рис. 9.34.