Встроенная модель для диода

Встроенная модель для диода

Чтобы увидеть характеристику для встроенной модели диода в PSpice, можно провести анализ с вариацией входного напряжения на постоянном токе (dc sweep). Схема показана на рис. 9.3. При этом мы будем получать выходное напряжение «точка за точкой», строя характеристику так же, как снимали бы ее в лаборатории. Входной файл будет выглядеть следующим образом:

Built-in Diode Model for PSpice

V 1 0 10V

R 1 2 100

D1 2 0 DMOD

.DC V -0.5V 10V 0.02V

.MODEL DMOD D

.PROBE

.END

Рис. 9.3. Схема для снятия ВАХ диода

В данном примере мы подключили между узлами 2 и 0 диод D1 с именем модели DMOD, что отражено в первом аргументе команды .MODEL.

При проведении анализа в Probe измените границы оси X так, чтобы можно было представить V(2) в диапазоне до 0,8 В и I(D1) в диапазоне до 50 мА. Это даст вам характеристику встроенного диода (рис. 9.4) без изменения ранее определенных параметров. Чтобы отразить специфику конкретного прибора, вы можете изменять модель диода. Например, высота потенциального барьера EG по умолчанию равна 1.1 эВ. Задав новое значение, равное 0,72 эВ, мы отразим в нашей модели параметр, характерный для германиевого (Ge) диода. Вы можете посмотреть, как изменилась характеристика прибора после изменения любого параметра, и после этого продолжить анализ схемы, пользуясь измененной моделью.

Рис. 9.4. BAX диода 

Данный текст является ознакомительным фрагментом.