Оперативная память

Оперативная память

Оперативная память (оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, «мозги», «оперативка») – микросхемы, используемые процессором для временного хранения данных при выполнении расчетов. В подавляющем большинстве случаев такая память представлена в виде съемных модулей (1 или 2 модуля), хотя бывают и редкие исключения вроде Apple MacBook Air, где ОЗУ распаяно прямо на материнской плате. Поэтому, покупая ПК, постарайтесь выбрать такую модель, где ОЗУ установлена одним (!) модулем. В противном случае, при желании увеличить объем памяти, один из модулей в лучшем случае удастся отдать за бесценок, да и то только на радиорынке. А их стоимость заметно выше, чем для настольных ПК, хотя используются те же комплектующие, только упакованные более плотно.

В большинстве новых ноутбуков планки ОЗУ располагаются в днище под отдельной крышкой (но в некоторых моделях для доступа надо демонтировать клавиатуру). Чтобы извлечь планку из гнезда, держатели по бокам отведите в стороны, а модуль аккуратно потяните одновременно вперед-вверх. Обратите внимание, что для предотвращения установки не тех модулей памяти используются специальные «ключевые пазы» (управляющие пазы), заодно они обеспечивают правильное расположение модуля в разъеме. Нечетные контакты всегда спереди.

Вам кажется, что ноутбуку не хватает «мозгов»? Следует помнить, что:

> Windows XP SP3 – 128 Мбайт – минимально, 512 Мбайт – среднедостаточно, 1 Гбайт – комфортная работа;

> Windows Vista SP1 – 512 Мбайт – минимально, 1 Гбайт – среднедостаточно, 2 Гбайт – комфортная работа.

Если чипсет ноутбука поддерживает установку большего количества памяти, учтите, что больше 4 Гбайт 32-битная Windows все равно использовать не может. К тому же чем больше объем оперативной памяти, тем быстрее садится батарея. Но, если с необходимым объемом памяти вы определились, надо узнать, какую именно память поддерживает чипсет ноутбука.

Модули памяти для современных мобильных ПК бывают двух видов: в субноутбуках чаще используют micro-DIMM, а в стандартных – SO-DIMM (Small Out-line-DIMM).

SIMM (Single In-line Memory Module) – модули с однорядным расположением контактов, используются лишь в устаревших ноутбуках и здесь рассматриваться не будут.

DIMM (Double In-line Memory Module) – модули с двухрядным расположением контактов. Данный термин может относиться как к уже устаревшей памяти SDRAM, так и к новейшей DDR3. Использование этого термина в прайсах без указания типа памяти совершенно некорректно. Однако это не единственный пример подобного рода. Так как, начиная с DDR, за такт данные передаются дважды, принято обозначать тип удвоенным значением его рабочей частоты, например, модуль с частотой 133 МГц обозначают DDR266 (и указывать эффективную частоту в 266 МГц некорректно, и прямо запрещено сертифицирующей организацией… но чаще всего так и делают). Память DDR часто обозначают по ее максимальной теоретической пропускной способности, то есть, например, модуль с частотой 133 МГц обозначается как DDR266 с пиковой скоростью передачи данных 2100 Гб/с и маркировкой PC2100. То же самое для DDR с частотой 150 МГц – DDR300, 2400 Гб/с, PC2400 и т. д.

Модули памяти можно также разделить по соответствию международным стандартам.

> Очень старые стандарты вроде FPM, EDO и RDRAM здесь рассматриваться не будут.

> SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память произвольного доступа. Если хотят подчеркнуть, что она обладает, в отличие от DDR, одинарной скоростью передачи данных, говорят: память SDR (Single Data Rate). Бывают в виде 72-контактных micro-SIMM и 144-контактных SO-DIMM или micro-DIMM модулей. Максимальная частота 133 МГц (PC133). Есть ключевые пазы между 59 и 61-м контактами. Паз может быть сдвинут влево (напряжение 5 В) или располагаться по центру (напряжение 3,3 В, наиболее распространенный случай).

> DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – память SDRAM с удвоенной передачей данных за такт. Бывают в виде 200-контактных DDR SO-DIMM или 172 контактных DDR micro-DIMM модулей. Максимальная частота 267 МГц (DDR533 или PC4300). Ключевые пазы между 39 и 41-м контактами. Паз может быть сдвинут влево (напряжение 2,5 В, наиболее распространенный случай) или вправо (напряжение 1,5 В).

> DDR2 SDRAM (Double Data Rate Two SDRAM) – является логическим продолжением стандарта DDR, позволяя создавать модули памяти, работающие на большей частоте. Встречается в виде 200-контактных DDR SO-DIMM или 172 контактных DDR micro-DIMM модулей. Напряжение 1,8 В. Максимальная частота 575 МГц (DDR2-1150 или PC9200). Ключевые пазы между 63 и 65-м контактами. Оптимальная покупка по соотношению цена/производительность.

Иногда модули памяти поддерживают функцию ECC (Error Correcting Code). Это код коррекции ошибок, обеспечивает проверку целостности данных и ликвидацию сбоев, связанных с ошибками в передаче сигнала в ОЗУ. Однако эту функцию должны поддерживать микросхемы на материнской плате, и для ноутбуков ее наличие совершенно непринципиально.

BIOS ноутбука редко разрешает настраивать скорость обновления и доступа к ячейкам (тайминги), поэтому надо просто выбирать максимальную частоту работы модуля памяти, увеличивая его объем. Иногда ноутбук требователен к тому, чтобы оба модуля памяти работали на одной частоте (тогда придется менять ОЗУ целиком). Имейте в виду, что высота планки памяти, количество микросхем, их расположение могут существенно различаться, но при этом технические параметры будут совершенно одинаковыми. Верно и обратное утверждение.

Все контактные выводы покрываются золотом для лучшего соприкосновения и стабильной работы. Избегайте модулей с другим покрытием контактов, поскольку через какое-то время их взаимодействие с позолоченными контактами разъемов в ноутбуке приведет к коррозии и перебоям в работе.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.