Входные характеристики

Входные характеристики

Для входных характеристик несколько значений VDD будут использоваться, как показано в следующем файле:

Input Characteristic for MOSFET

VGS 1 0 0V

VDD 2 0 10V

MOS 2 10 0 IRF150

.DC VGS 0 8V 0.1V VDD 2V 10V 4V .PROBE

.LIB EVAL.LIB

.END

Полученный в результате график показан на рис. 11.13. Из него видно, что пороговое значение VGS немного ниже 3 В и что характеристики при VDD=6 В или больше сливаются в одну кривую.

Рис. 11.13. Входные характеристики МОП-транзистора 

Данный текст является ознакомительным фрагментом.