Входные характеристики

Входные характеристики

Чтобы получить входные характеристики, можно использовать схему, показанную на рис. 10.3. Источник тока I_ВВ превращается в неидеальный при включении параллельно его выходу резистора R_s. Входной файл:

BJT Input Characteristics

IBB 0 1 100uA

Rs 1 0 1000k

RL 2 3 0.01

Q1 2 1 0 BJT

VCC 3 0 10V

.MODEL BJT NPN(BF=80)

.dc IBB 0 100uA 1uA VCC 0V 10V 2V

.PROBE

.END

Рис. 10.3. Схема для снятия входных характеристик биполярного транзистора

После проведения анализа измените разметку оси X чтобы показать и V(1), и график тока I(IBB). Вы получите график, который показывает только две кривые. Первая, расположенная ближе к началу координат, получена для V_CE=0 В, другая — для всех остальных значений V_CE (см. рис. 10.4). Если выполнить анализ, исключив нулевое значение V_CC, то первая кривая на графике исчезнет. Обратите внимание, что при использовании встроенной модели для Q напряжение V_BE будет приблизительно равно 0,8 В для типичных значений базового тока.

Рис. 10.4 Входные характеристики биполярного транзистора

Данный текст является ознакомительным фрагментом.