Выходные характеристики схемы с общим эмиттером

Выходные характеристики схемы с общим эмиттером

Чтобы представить модель биполярного транзистора, мы используем схему смещения усилителя с ОЭ, представленную на рис. 9.19. Такую схему вы могли бы использовать, если бы вам пришлось исследовать выходные характеристики биполярного транзистора в лаборатории. Вы получили бы подобную характеристику, поддерживая постоянным входной ток I_В при изменении напряжения V_CE. Большинство студентов знакомо с этим экспериментом. Рассмотрим теперь этот эксперимент с точки зрения PSpice. Мы вызываем транзистор Q1 и используем имя модели BJT. При использовании этих обозначений необходимая команда примет вид:

Q1 3 2 0 BJT

Рис. 9.19. Схема для снятия выходных характеристик усилителя ОЭ на биполярном транзисторе

Узлы приводятся в последовательности коллектор, база, эмиттер. Команда ввода модели:

.MODEL BJT NPN

где запись BJT выбрана в соответствии с нашим обозначением Q1, a NPN — тип модели для npn-транзистора. Получится следующий входной файл:

BJT PSpice Model Characteristics

VBB 1 0 1V

RS 1 2 10k

RL 3 4 0.01

Q1 3 2 0 BJT; 3=collector, 2=base, 1=emitter

VCE 4 0 5V

.MODEL BJT NPN

.DC VCE 0 15V 0.1V

.PROBE

.END 

Проведите анализ и получите график -I(RL). Знак минус правилен относительно команды ввода R_L, показанной в файле. Используйте режим курсора, чтобы найти IC_max. Вы должны получить IC_max=2,07 мА. Характеристика показана на рис. 9.20. Удалите эту кривую и получите график I(RS), чтобы посмотреть входной ток I_B. Проверьте, что его максимальное значение I_В=20,7 мкА. Из двух полученных значений можно вычислить h_FE=100, что соответствует параметру B_F, приведенному в модели. При необходимости вы можете задавать другие значения для BF в некоторых моделях транзистора (см. список всех параметров транзистора в разделе «Q — биполярный транзистор» приложения D).

Рис. 9.20. Выходная характеристика для схемы на рис. 9.19

Данный текст является ознакомительным фрагментом.