Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению

Усилитель с общим эмиттером с параллельной обратной связью по напряжению

В качестве примера, относящегося уже не к колебательному контуру, а к усилителю, на рис. 4.18 показана упрощенная гибридная ?-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению.

Рис. 4.18. Упрощенная гибридная pi??!!-модель для усилителя ОЭ с параллельной обратной связью по напряжению

Так как нас интересует реакция на высоких частотах, используем анализ на переменном токе в диапазоне частот от 1 кГц до 10 МГц. Входной файл:

СЕ Amplifier with Voltage-Shunt Feedback

V 1 0 AC 1mV

G 4 0 3 0 50mS

RS 1 2 10k

RBB 2 3 100

RBE 3 0 1k

RF 2 4 40k

RC 4 0 4k

CE 3 0 100pF

CC 3 4 3pF

.AC DEC 40 1kHz 10MEGHz

.PROBE

.END

Выполните анализ; затем убедитесь, используя режим курсора, что V(4)=3,199 мВ соответствует среднечастотному значению. Затем удалите этот график и получите вместо него график

20·lg(V(4)/3,2мВ).

Используйте курсор, чтобы найти отметку, соответствующую снижению на 3 дБ при f=1,37 МГц.

Чтобы показать влияние Rf на процессы в схеме, удалите во входном файле команду, вводящую Rf и  снова выполните анализ. Убедитесь, что при удалении Rf среднечастотное значение V(4)=18,02 мВ и что отметка 3 дБ соответствует частоте f=246 кГц. Как и ожидалось из теоретического анализа обратной связи, включение в схему Rf стабилизирует ее режим, приводя к более низкому коэффициенту усиления по напряжению и расширению полосы частот.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.