Усилители на MOSFET
Усилители на MOSFET
Усилитель мощности, использующий IRF150, показан на рис. 11.14. Так как используется режим с большими токами истока и стока, значения Rd и Rs составляют 2 и 0,5 Ом соответственно. Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения, обеспечивающий значение VGS=4,7 В. При этом входной файл имеет вид:
n-Channel Power MOSFET Amplifier
VDD 4 0 18V
vi 1 0 ac 0.5V
R1 4 2 330k
R2 2 0 220k
Rd 4 3 2
Rs 5 0 0.5
Cb 1 2 15uF
Cs 5 0 15uF
MFET 3 2 5 5 IRF150
.DC VDD 12V 12V 12V .OP
.OPT nopage
.PRINT DC I(RD) I(R1) I(R2) I(RS)
.ac Lin 1 5kHz 5kHz
.PRINT ac i (Rd) v(2) v(3)
.LIB EVAL.LIB
.END
Рис. 11.14. Усилитель мощности на МОП-транзисторе
Выходной файл показан на рис. 11.15. Приведены постоянные и переменные составляющие. Среди постоянных составляющих показаны ток стока (и истока) ID=1,781 А, напряжения на стоке V(3)=7,827 В и на истоке V(5)=2,543 В.
n-Channel Power MOSFET Amplifier
VDD 4 0 18V
vi 1 0 ac 0,5V
R1 4 2 330k
R2 2 0 220k
Rd 4 3 2
Re 5 0 0.5
Cb 1 2 15uF
Cs 5 0 15wF
MFET 3 2 5 5 IRF150
.DC VDD 12V 12V 12V
.OP
.OPT nopage
.PRINT DC I(RD) I(R1) I(R2) I(Re)
.ac lin 1 5kHz 5kHz
.PRINT ac i(Rd) v(2) v(3)
.LIB EVAL.LIB
.END
**** MOSFET MODEL PARAMETERS
IRF150
NMOS
LEVEL 3
L 2.000000E-06
W .3
VTO 2.831
KP 20.530000E-06
GAMMA 0
PHI .6
LAMBDA 0
RD 1.031000E-03
RS 1.624000E-03
RG 13.89
RDS 444.400000E+03
VDD I(RD) I(R1) I(R2) I(Rs)
1.200E+01 1.781E+00 2.182E-05 2.182E-05 1.781E+00
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 7.2000 ( 3) 7.8271 ( 4) 18.0000
( 5) 2.5432
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VDD -5.086E+00
vi 0.0000+00
TOTAL POWER DISSIPATION 9.16E+01 WATTS
**** MOSFETS
NAME MFET
MODEL IRF150
ID 5.09E+00
VGS 4.66E+00
VDS 5.28EE+00
VBS 0.00E+00
VTH 2.83E+00
VDSAT 1.82E+00
GM 5.60E+00
**** AC ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG С
FREQ I(Rd) V(2) V(3)
5.000E+03 7.536E-01 4.9998-01 1.507E+00
Рис. 11.5. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 11.4
Анализ переменных составляющих дает входное напряжение vi=0,5 В и выходное напряжение на стоке v(3)=1,5 В, давая коэффициент усиления по напряжению, равный 3. Переменная составляющая выходного тока равна ID=0,7536А. Для всех переменных составляющих приведены максимальные значения.
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Двухкаскадные усилители
Двухкаскадные усилители При использовании PSpice расчет двухкаскадных усилителей очень прост, и результат получается быстрее, чем при расчете с использованием формул, который утомителен и требует сосредоточенности, чтобы не допустить ошибки. Понимая основные принципы
4. Многокаскадные усилители, частотные характеристики и цепи обратной связи
4. Многокаскадные усилители, частотные характеристики и цепи обратной связи Эта глава охватывает ряд тем, касающихся исследования частотных характеристик. Мы рассмотрим, как частота влияет на выходное напряжение на графиках Боде, поговорим о записи различных величин в
5. Операционные усилители
5. Операционные усилители Операционный усилитель (ОУ), или op amp, представляет собой интегральную схему, широко используемую в электронике. Реальная схема усилителя сложна и нет необходимости отражать все ее свойства в нашей модели. Мы начнем с модели идеального ОУ,
Дифференциальные усилители
Дифференциальные усилители Дифференциальный усилитель используется в качестве первого каскада ОУ. В простейшем случае он напоминает схему на рис. 9.22. Для анализа мы используем встроенную модель для npn-транзистора, применив согласованную пару для Q1 и Q2, выбрав Rs1=Rs2=1 кОм и
Усилители с общим эмиттером
Усилители с общим эмиттером Простая схема каскада с ОЭ показана на рис. 10.5. Входной контур получен путем преобразования более сложной цепи с помощью теоремы Тевенина. Мы проводим анализ при частоте 5 кГц, при которой конденсаторы могут рассматриваться просто как короткое
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. 11.4, в усилитель напряжения, добавив два конденсатора и источник переменного напряжения (рис. 11.7). Приведенный ниже входной файл предназначен для анализа на переменном токе при f=5
Мощные полевые транзисторы MOSFET
Мощные полевые транзисторы MOSFET Для изучения случая, касающегося МОП-транзисторов, необходимо выбрать соответствующую модель такого устройства из библиотеки EVAL.LIB. Это модель IRF150, которая отображает мощный МОП-транзистор n-типа. Чтобы познакомиться с его свойствами,
Усилители на полевых транзисторах
Усилители на полевых транзисторах В схеме усилителя на полевом транзисторе, приведенной на рис. 11.7, использовалась встроенная модель транзистора. Как говорилось в этом примере, строки, описывающие такое устройство, могли бы иметь вид:JFET 3 1 2 JM.MODEL JM NJF (RD=10 RS=10 VTO=3V BETA=0.2m)Эти
16. Операционные усилители в Capture
16. Операционные усилители в Capture Идеальный операционный усилитель был представлен в главе 5 (рис. 5.1). Использование этой модели в Capture почти тривиально, но мы повторим задачу, показанную на рис. 5.4, для введения в более сложные
Неинвертирующие усилители на идеальных операционных усилителях
Неинвертирующие усилители на идеальных операционных усилителях Используйте Capture, чтобы создать новый проект с именем idealop. Схема должна быть такой же, как на рис. 5.4 (неинвертирующий усилитель на идеальном ОУ). Источник напряжения, управляемый напряжение Е имеет в PSpice
Операционные усилители с дифференциальным входом
Операционные усилители с дифференциальным входом Используем модель, приведенную на рис. 5.6, для другого примера, в котором исследуется идеальный ОУ. Назовем этот проект idealdif и используем следующие элементы: Va=3 В, Vb=10 В, R1=5 кОм, Ri=1 ГОм, R2=10 кОм, R3=5 кОм, R4=10 кОм, коэффициент