Чувствительность по току смещения
Чувствительность по току смещения
На рис. 3.41 представлена наша модель для схемы смещения для биполярного транзистора. В этом примере транзистор имеет VBE=0,7 В и hFE= 80. Выходным напряжением считается напряжение коллектор-эмиттер V(3,2). Это напряжение будет предметом анализа чувствительности. Входной файл для такого анализа:
Sensitivity of Model Transistor-Biasing Circuit
VCC 4 0 12V
VA 1 2 0.7V
F 3 2 VA 80
R1 4 1 40k
R2 1 0 5k
RC 4 3 1k
RE 2 0 100
.OPT nopage
.SENS V(3,2)
.END
Рис. 3.41. Простая модель для исследования чувствительности биполярного транзистора
Проведем анализ и рассмотрим значения для элементной чувствительности в выходном файле, который приведен на рис. 3.42. Убедитесь, что при увеличении VCC на 0,12 В, V(3,2) увеличится на 0,02636 В, а из всех резисторов схемы, наиболее чувствительным в отношении V(3,2) является резистор R1.
**** 09/15/99 11:57:07 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
Sensitivity of Model Transistor Bias Circuit
VCC 4 0 12V
VA 1 2 0.7V
F 3 2 VA 80
R1 4 1 40k
R2 1 0 5k
RC 4 3 1k
RE 2 0 100
.SENS V(3,2) .OPT nopage .END
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 1.1069 ( 2) .4089 ( 3) 7.9610 ( 4) 12.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -4.311E-03
VA 5.049E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 5.17Е-02 WATTS ****
DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG С
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT V(3,2)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED
NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(VOLTS/UNIT) (VOLTS/PERCENT)
R1 4.000E+04 2.125E-04 6.499E-02
R2 5.000E+03 -1.385E-03 -6.923E-02
RC 1.000E+03 -4.039E-03 -4.039E-02
RE 1.000E+02 2.463E-02 2.463E-02
VCC 1.200E+01 2.197E-01 2.636E-02
VA 7.000E-01 7.023E+00 4.916E-02
Рис. 3.42. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 3.41
Как упражнение используйте элементные значения чувствительности, чтобы аппроксимировать V(3,2), когда сначала на 1% увеличивается R1 и затем, когда R2 увеличивается на 1%. Не забудьте, что результаты, полученные этим методом, будут приблизительны и применятся только к инкрементным изменениям в элементных значениях.
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
6.14.3 Поле смещения фрагмента
6.14.3 Поле смещения фрагмента Блок фрагментации (fragment block) — это 8-октетная порция данных. Число в поле смещения фрагмента (Fragment Offset) указывает величину смещения данного фрагмента (относительно начала датаграммы) в единицах блоков фрагментирования. Это поле имеет длину 13
Модели, предназначенные для расчета смещения
Модели, предназначенные для расчета смещения Чтобы использовать анализ на PSpice, мы предлагаем вам разработать подходящую модель для BJT. Она позволит вам находить статические значения напряжений и токов в схеме смещения. На рис. 3.2 показана такая модель наряду с другими
Расчет смещения для германиевого транзистора
Расчет смещения для германиевого транзистора В качестве другого примера на рис. 3.3 показана схема смещения для германиевого pnp-транзистора с hFE=60 и VBE=-0,2 В. Значения параметров элементов схемы: RF=50 кОм; RE=50 Ом; RC=1 кОм и VCC=-12 В. Заменив транзистор моделью PSpice, мы получим схему
Чувствительность по постоянному току
Чувствительность по постоянному току Изменения параметров элементов в таких схемах могут привести к неправильной работе устройства. В некоторых случаях ожидаемые напряжения и токи выходят за пределы приемлемых значений. В других случаях неверно выбранное смещение
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice
Чувствительность биполярных транзисторов из библиотеки PSpice Когда при анализе чувствительности используется модель биполярного транзистора из библиотеки PSpice, чувствительность выходной переменной к изменениям в значениях параметров транзистора задана также в
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером
Параллельная обратная связь по току в двухкаскадном усилителе с общим эмиттером Для дальнейшей иллюстрации влияния обратной связи на диапазон частот на рис. 4.19 показана модель двухкаскадной схемы ОЭ с параллельной обратной связью по току. Мы снова выбрали упрощенную
Анализ цепей смещения
Анализ цепей смещения Схема с более устойчивой точкой покоя, чем в предыдущем случае, показана на рис. 10.7. Она называется схемой с эмиттерным или автоматическим смещением. Входной файл:Biasing Case StudyVCC 2 0 12VR1 2 1 40kR2 1 0 3.3kRC 2 3 4.7kRE 4 0 220Q1 3 1 4 Q2N2222.LIB EVAL.LIB; команда вызывает библиотечный
Токи смещения полевых транзисторов
Токи смещения полевых транзисторов Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле: n-Channel JFET Bias CircuitVDD 4 0 18VRG 1 0
Чувствительность к регистру и пробелы
Чувствительность к регистру и пробелы Если при создании вами объектов базы данных были использованы квотированные идентификаторы, то все правила чувствительности к регистру, которые применялись к вашим данным динамического SQL, должны также применяться, когда вы
Удаление смещения по оси амплитуды
Удаление смещения по оси амплитуды Может случиться так, что между звуковой картой и устройством ввода возникнут конфликты. Тогда излишек звукового потока добавляется к входящему сигналу, и конечная диаграмма сигналов отклоняется от нулевой оси. Это явление называется