Условия насыщения

Условия насыщения

Необходимо предварительное замечание перед исследованием условий смещения, приводящих к насыщению транзистора. Из теоретического курса, посвященного изучению транзисторов, вы должны вспомнить, что значения h_FE в активной области и в области насыщения неодинаковы. Это означает, что если происходит насыщение, предсказанное значение I_C, вычисленное с использованием h_FE, для активной области будет слишком велико. Вы должны иметь в виду, что если рассчитанное значение V_CE падает ниже нескольких десятых вольта, значит достигнуто условие насыщения. Несколько задач в конце главы касаются вопросов смещения транзистора, приводящих к работе в активной области или в области насыщения.

Мы представили модель смещения для кремниевого npn-транзистора. Эта модель может использоваться с различными конфигурациями смещения и многокаскадными усилителями. А можете ли вы самостоятельно изменить модель так, чтобы она стала пригодной для анализа:

а) кремниевых pnp-транзисторов;

б) германиевых pnp-транзисторов?

Данный текст является ознакомительным фрагментом.