Токи смещения полевых транзисторов
Токи смещения полевых транзисторов
Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле:
n-Channel JFET Bias Circuit
VDD 4 0 18V
RG 1 0 0.5MEG
RS 2 0 770
RD 4 3 8.8k
JFET 3 1 2 JM
.MODEL JM NJF(RD=10 RS=10 VTO=-3 BETA=0.2m)
.DC VDD 18V 18V 18V
.OP
.OPT nopage
.PRINT DC I(RD) I(RS) I(RG) .END
Рис. 11.4. Схема с автоматическим смещением транзистора JFET
Выходной файл приведен на рис. 11.5. Чтобы посмотреть, совпадают ли результаты стандартного схемотехнического расчета и анализа на PSpice, необходимо найти значение IDSS. Выполните анализ, подобный показанному на рис. 11.2, и убедитесь, что для этого JFET IDSS=1,78 мА. Сравните ваши результаты с рис. 11.6. Воспользовавшись этим значением, найдем
**** 07/29/99 11:29:21 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
n-Channel JFET Bias Circuit
VDD 4 0 18V
RG 1 0 0.5MEG
RS 2 0 770
RD 4 3 8.8k
JFET 3 1 2 JM
.MODEL JM NJF(RD=10 RS=10 VTO=-3 BETA=0.2m)
.DC VDD 18V 18V 18V
.OP
.opt nopage
.PRINT DC I(RD) I(RS) I(RG)
.END
**** Junction FET MODEL PARAMETERS
JM
NJF
VTO -3
BETA 200.000000E-06
RD 10
RS 10
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27.000 DEG С
VDD I(RD) I(RS) I(RG)
1.800E+01 9.915E-04 9.915E-04 1.006E-11
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 5.029E-06 ( 2) .7635 ( 3) 9.2744 ( 4) 18.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VDD -9.915E-04
TOTAL POWER DISSIPATION 1.78E-02 WATTS
**** JFETS
NAME JFET
MODEL JM
ID 9.92E-04
VGS -7.63E-01
VDS 8.51E+00
GM 8.91E-04
GDS 0.00E+00
CGS 0.00Е+00
CGD 0.00Е+00
Рис. 11.5. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 11.4
Рис. 11.6 Выходные характеристики схемы на рис. 11.4
Используем теперь значение IDSS, полученное в PSpice, чтобы найти VGSS. В следующем уравнении IDSS представляет собой ток стока при насыщении:
Откуда при IDS=0,992 мА, IDSS=-1,78 мА и VP=3 В после преобразований получим VGS=0,78 В и затем
Значения VGS и gm согласуются с показанными на рис. 11.5.
Данный текст является ознакомительным фрагментом.