Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT) — первая тема, изучаемая в этой главе. На рис. 3.1 показана типичная схема смещения транзистора. Транзисторы типа npn кремниевые (Si) имеют коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером (ОЭ) h_FE=80 и напряжение база-эмиттер V_BE=0,7 В (типовые значения для активной области). Никакая иная информации о транзисторе при анализе не используется. Параметры элементов схемы: R₁=40 кОм; R₂=5 кОм; R_C=1 кОм, R_E=100 Ом и V_CC=12 В.

Рис. 3.1. Типовая схема смещения транзисторов

Данный текст является ознакомительным фрагментом.