Анализ транзисторных схем
Анализ транзисторных схем
Следующая предварительная схема представляет собой усилитель на биполярном транзисторе (BJT) с типовой схемой смещения на двух резисторах. Эта схема представлена на рис. 0.10. PSpice допускает использование встроенных моделей для биполярных транзисторов и других приборов. Допустим, что транзистор имеет коэффициент усиления для большого сигнала hFE= 80 и что при типовых условиях смещения VBE=0,8 В.
Рис. 0.10. Цепи смещения для биполярного транзистора
Прежде чем перейти к моделированию на PSpice, определим смещающие токи и напряжения обычными методами. Если в процессе предшествующего обучения вы познакомились с этими методами, вы поймете следующее краткое описание. При открытии транзистора по базовой цепи напряжение эквивалентного генератора VTh (по теореме Тевенина) можно найти, пользуясь выражением для делителя напряжения:
Чтобы найти сопротивление эквивалентного генератора (по теореме Тевенина), закоротим источник напряжения Vcc, при этом резисторы R1 и R2 окажутся включенными параллельно. Сопротивление равно
RTh = R1?R2 = 40?5 = 4,444 кОм.
Применяя второй закон Кирхгофа к контуру, содержащему RTh и RE, получим
VTh = RThIB + VBE + RE(hFE + 1);
1,333В = (4,444 кОм)IB + 0,8В + 100 Ом (80+1).
Решая последнее уравнение относительно IВ, получим
IВ = 42,5мкА.
Поскольку IC = hFEIВ, коллекторный ток равен 3,4 мА. Эмиттерный ток равен сумме коллекторного и базового токов и составляет 3,44 мА. Воспользуемся полученными значениями токов, чтобы рассчитать потенциалы узлов 3, 4 и, наконец, узла 1.
Напряжение на коллекторе равно:
V3 = Vcc + RcIc = 12 – (1 кОм)(3,4 мА) = 8,6В.
Напряжение на эмиттере:
V4 = REIE = (100 Ом)(3,4 мА) = 0,344В.
Напряжение на базе:
V1 = VBE + V4 = 0,8 + 0,344 = 1,144В.
Хотя решение было несложным, оно все же заняло некоторое время. Если изменить параметры цепи, решение должно быть получено снова. С помощью PSpice получать повторные решения намного проще.
BJT Biasing Circuit
VCC 2 0 12V
R1 2 1 40k
R2 1 0 5k
RC 2 3 1k
RE 4 0 100
Q1 3 1 4 QN
.MODEL QN NPN(BF=80)
.dc VCC 12V 12V 12V
.OP
.OPT nopage
.PRINT dc I(R1) I(R2) I(RC) I(RE) .END
Выбранное для транзистора имя должно начинаться с буквы Q. Узлы 3, 1 и 4 — это узлы коллектора, базы и эмиттера, соответственно. Команда .MODEL содержит выбранное нами имя модели (QN — имя, выбранное для встроенной модели биполярного npn-транзистора). Запись BF=80 задает статический коэффициент усиления транзистора по постоянному току b равным 80. Результат анализа на PSpice приведен на рис. 0.11. Значения токов и напряжений соответствуют ранее вычисленным.
**** 06/13/99 14:30:18 *********** Evaluation PSpice (Nov 1998) **************
BJT Biasing Circuit
**** CIRCUIT DESCRIPTION
VCC 2 0 12V
R1 2 1 40k
R2 1 0 5k
RC 2 3 1k
RE 4 0 100
Q1 3 1 4 QN
.MODEL QN NPN(BP=80)
.dc VCC 12V 12V 12V .OP
.OPT nopage
.PRINT dc I(R1) I(R2) I(RC) I(RE)
.END
**** BJT MODEL PARAMETERS
QN
NPN
IS 100.000000E-18
BF 80
NF 1
BR 1
NR 1
CN 2.42
D .87
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27.000 DEG С
VCC I(R1) I(R2) I(RC) I(RE)
1.200E+01 2.713E-04 2.293E-04 3.366E-03 3.408E-03
**** SHALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 1.1464 ( 2) 12.0000 ( 3) 8.6345 ( 4) .3408
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -3.637E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 4.36E-02 WATTS
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG С
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1
MODEL QN
IB 4.21E-05
IС 3.37E-03
VBE 8.06E-01
VBC -7.49E+00
VCE 8.29E+00
BETADC 8.00E+01
GM 1.30E-01
RPI 6.15E+02
RX 0.00E+00
RO 1.00E+12
CBE 0.00E+00
CBC 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 8.00E+01
CBX/CBX2 0.00E+00
FT/FT2 2.07E+18
Рис. 0.11. Выходной файл для схемы рис. 0.10
В главе 3 эта схема исследована более детально для использования биполярного транзистора в усилителе с общим эмиттером. Среди прочих параметров будут найдены коэффициенты усиления по току и напряжению, а также входное и выходное сопротивления каскада.
Более 800 000 книг и аудиокниг! 📚
Получи 2 месяца Литрес Подписки в подарок и наслаждайся неограниченным чтением
ПОЛУЧИТЬ ПОДАРОКДанный текст является ознакомительным фрагментом.
Читайте также
Использование Spice для исследования схем
Использование Spice для исследования схем Вход в PSpice начинается с команд File, New, Text File. Анализ схемы можно провести с помощью представленного ниже входного файла:Spice Analysis of Series CircuitVs 1 0 50VR1 1 2 100 R2 2 3 50R3 3 0 150.OP.ENDНапомним, что после того как набрана последняя команда (.END), Enter лучше
Анализ схем для других конфигураций
Анализ схем для других конфигураций Когда транзисторные схемы не упрощаются до базовых моделей (рис. 3.7, 3.10 и 3.12), необходимо соблюдать осторожность при размещении элементов между узлами, например, для резистора, включенного между коллектором и базой в схеме с ОК (рис.
Использование y -параметров для расчета схем
Использование y-параметров для расчета схем Вызывает затруднения практическое использование y-параметров в типичной ситуации, когда к четырехполюснику, для которого были найдены y-параметры, подключаются неидеальный источник напряжения и резистор нагрузки (рис. 12.6).
Использование z-параметров для расчета схем
Использование z-параметров для расчета схем Рис. 12.15. Схема с источником и нагрузкойТипичная схема имеет неидеальный источник с полным внутренним сопротивлением на входе и полное сопротивление нагрузки, подключенное к выходу (рис. 12.15). Можно показать, что Некоторые из
Создание схем в программе Сapture
Создание схем в программе Сapture Вызовите программу OrCAD Capture, щелкнув мышью на значке, имеющемся на рабочем столе. Выберите из главного меню File, New Project, чтобы создать новый проект, обеспечивающий графическое изображение схемы на экране с последующим анализом ее на PSpice.После
Глава 6 Создание схем и иллюстраций
Глава 6 Создание схем и иллюстраций • Средства Microsoft Word• Графический редактор Paint• Элементарные операции в PhotoshopСхемы используют, чтобы лучше сформулировать основные идеи работы, а иллюстрации – для более наглядного и понятного сообщения о предмете исследования. Из
Урок 1 Черчение схем
Урок 1 Черчение схем Изучив материал этого урока, вы научитесь чертить электросхемы с помощью редактора проектирования схем SCHEMATICS: находить нужные элементы в соответствующих программных библиотеках, размещать их на рабочем листе и редактировать полученные
Глава 12 Моделирование и изменение схем
Глава 12 Моделирование и изменение схем Эта глава посвящена анализу схемы МОП-транзисторного усилителя. Особое внимание уделено тому, насколько похожи результаты измерения и моделирования схемы и чем обусловлены различия. В табл. 12.1 приведены наиболее важные результаты
Глава 15 Черчение схем в редакторе CAPTURE
Глава 15 Черчение схем в редакторе CAPTURE Эта глава содержит рекомендации, касающиеся выполнения часто повторяемых операций. Рассматриваются оптимальные способы создания нового проекта, черчения и редактирования схем. 15.1. Создание нового проекта Редактор CAPTURE различает
Урок № 96. Анализ счета и анализ субконто
Урок № 96. Анализ счета и анализ субконто Анализ счета также относится к числу популярных отчетов программы "1С". Чтобы сформировать этот отчет, нужно выполнить команду главного меню Отчеты | Анализ счета, затем в открывшемся окне указать отчетный период, счет и
1. Смысл нормализации схем баз данных
1. Смысл нормализации схем баз данных Понятие, которое мы будем рассматривать в данном разделе, связано с понятием функциональных зависимостей, т. е. смысл нормализации схем баз данных неразрывно связан с понятием ограничений, накладываемых системой функциональных
Лекция № 11. Проектирование схем баз данных
Лекция № 11. Проектирование схем баз данных Наиболее распространенным средством абстрактного представления схем баз данных при проектировании на логическом уровне является так называемая модель «сущность – связь». Ее еще иногда называют ER-модель, где ER – аббревиатура
Глава 5 Создание схем и иллюстраций
Глава 5 Создание схем и иллюстраций Сложно представить себе курсовую или дипломную работу без схем или иллюстраций. Схемы позволяют гораздо лучше сформулировать основные идеи работы, а иллюстрации используют для более наглядного и понятного сообщения о предмете
4.4. Логические элементы и синтез логических схем
4.4. Логические элементы и синтез логических схем Сложные цифровые логические устройства, входящие в состав компьютера, состоят из ряда элементарных логических элементов, построенных на базе средств электронной техники. При производстве этих электронных логических
2.4. АНАЛИЗ ТРЕБОВАНИЙ К СИСТЕМЕ (СИСТЕМНЫЙ АНАЛИЗ) И ФОРМУЛИРОВКА ЦЕЛЕЙ
2.4. АНАЛИЗ ТРЕБОВАНИЙ К СИСТЕМЕ (СИСТЕМНЫЙ АНАЛИЗ) И ФОРМУЛИРОВКА ЦЕЛЕЙ Задача оптимизации разработки программ состоит в достижении целей при минимально возможной затрате ресурсов.Системный анализ в отличие от предварительного системного исследования — это
Сравнительная характеристика разных схем аннулирования
Сравнительная характеристика разных схем аннулирования Пока не накоплено достаточно информации об эффективности функционирования крупномасштабных PKI, можно сделать лишь некоторые предположения по поводу характеристик масштабируемости, скорости обработки и